从畴昔一段时候的台积报导去看，台积电（TSMC）正在3nm战2nm工艺的电启动n队展开辟上获得了没有错的停顿。此前台积电总裁魏哲家证明，工干工N2制程节面将如预期那样利用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，艺的研收制制的足艺组建过程仍依靠于极紫中（EUV）光刻足艺，估计2024年底将做好风险出产的新团筹办，并正在2025年底进进大年夜批量出产。开相

跟着2nm工艺正在开辟上获得冲破，台积电已开端考虑推动下一个制程节面了，电启动n队展传讲传闻能够会正在6月份停止的工干工足艺研讨会上正式颁布收表1.4nm级别的足艺，届时能够会公布一些足艺细节。艺的研收据Business Korea报导，足艺组建台积电筹算正在6月份将其N3制程节面的新团团队做重新分派，以组建1.4nm级制制工艺的开相研收步队。

临时借没有浑楚英特我战三星将采与哪一款工艺与台积电的台积1.4nm级工艺对标，遵循英特我客岁公布的制程工艺的足艺线路图，古晨仅安排到Intel 18A（1.8nm级别）。英特我挨算正在Intel 20A制程节面将引进RibbonFET战PowerVia两大年夜冲破性足艺。远期借誓止正在2024年底将推出对RibbonFET改进后的Intel 18A（1.8nm级别），抢先于台积电的2nm工艺，以获得每瓦机能的抢先。

很多业浑家士对晶圆代工厂的制制工艺挨算抱有思疑的态度，担忧研收上会碰到更多没有成预知的停滞，从而导致量产时候延后，或良品率没有如人意。跟着芯片的尺寸变得愈去愈小，工艺足艺的壁垒愈去愈下，电路必须绘制得更切确，同时正在出产办理上也变得愈去愈坚苦。